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大阪大学大学院基礎工学研究科 附属スピントロニクス学術連携研究教育センター

  

主要実験装置EQUIPMENTS

MBE

分子線エピタキシー(MBE)装置

・到達真空度:10-9 Torr以下
・マニピュレータ温度:〜1000℃
・2連続チャンバー(左:成長室,右:終端室)
Si, Ge基板の上にFe3Si, Co2FeSi等の高品質ホイスラー合金を作製します。

MBEeiko

分子線エピタキシー(MBE)装置

・到達真空度:10-8 Pa以下
・マニピュレータ温度:〜1000℃
Si, Ge基板の上にGeやSn等を蒸着します。



ALD

原子層堆積(ALD)装置

・到達真空度:〜10-5 Pa
高品質なAl2O3やHfO3などの絶縁膜を作製します。




Egun

電子線蒸着装置

・到達真空度:〜10-5 Pa
・蒸着元素:Au, Ti, Ge, Co, Cu, Pt等
電極に用いるAu, Ti等の金属を蒸着します。



sputter

RFスパッタ装置

・到達真空度:10-7 Torr ・スパッタ電源:RF
SiO2, Si3N4等の絶縁膜を堆積します。


jouleheat

抵抗加熱蒸着装置

・到達真空度:10-5 Pa
Cu等の金属を堆積します。


denkiro

電気炉

長時間の加熱処理に使用します。



milling

ドライエッチング装置、二次イオン質量分析計

・イオン化ガス:Ar, CF4, O2
・加速電圧:100〜3000V
金属、半導体、絶縁膜の薄膜をエッチングします。



photo

フォトリソグラフィー装置

素子のパターニングをします。


EBL

電子線描画装置

(大阪大学大学院基礎工学研究科附属未来研究推進センター所有)
素子のパターニングをします。



scriber

スクライバー

試料を切断するのに使用します。



noma

微分干渉顕微鏡

試料の表面や作製した素子を観察するのに使用します。

bonder

ワイヤーボンダー

AuやAlワイヤーで素子を配線するのに使用します。

PPMS

物理特性測定システム(PPMS)

・測定温度:1.9〜400 K
・最大印加磁場:9 T
作製した試料の磁気特性や磁気抵抗などを測定する装置です。

cryo1

磁気抵抗効果測定装置1

・測定温度:3〜320 K
・最大印加磁場:0.6 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。

cryo2

磁気抵抗効果測定装置2

・測定温度:室温
・最大印加磁場:0.6 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。

cryo3

磁気抵抗効果測定装置3

・測定温度:3〜320 K
・最大印加磁場:〜1 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。

cryo4

磁気抵抗効果測定装置4

・測定温度:3〜320 K
・最大印加磁場:0.6 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。

RTA

高速熱処理(RTA)装置

試料を急速加熱する装置です。

UVozon

UVオゾン洗浄装置

・プロセス温度:室温~300℃
紫外線と高濃度オゾンを用いて各種有機物の除去を行う装置です.

semipara

半導体デバイス・パラメータ・アナライザ

半導体素子のI-V特性などを測定する装置です。

sem

電子顕微鏡(SEM)

微細な素子を観察する卓上サイズの装置です。

Kerr

Kerr効果顕微鏡

磁区構造を観察する装置です。