主要実験装置EQUIPMENTS
.jpg)
分子線エピタキシー(MBE)装置
・到達真空度：10-9 Torr以下
・マニピュレータ温度：〜1000℃
・3連チャンバー+搬送チャンバー(中央)
Si, Ge基板の上にFe3Si, Co2FeSi等の高品質ホイスラー合金を作製します。
分子線エピタキシー(MBE)装置
・到達真空度：10-8 Pa以下
・マニピュレータ温度：〜1000℃
Si, Ge基板の上にGeやSn等を蒸着します。
原子層堆積(ALD)装置
・到達真空度：〜10-5 Pa
高品質なAl2O3やHfO3などの絶縁膜を作製します。
電子線蒸着装置
・到達真空度：〜10-5 Pa
・蒸着元素：Au, Ti, Ge, Co, Cu, Pt等
電極に用いるAu, Ti等の金属を蒸着します。
RFスパッタ装置
・到達真空度：10-7 Torr
・スパッタ電源：RF
SiO2, Si3N4等の絶縁膜を堆積します。
抵抗加熱蒸着装置
・到達真空度：10-5 Pa
Cu等の金属を堆積します。
電気炉
長時間の加熱処理に使用します。
ドライエッチング装置、二次イオン質量分析計
・イオン化ガス：Ar, CF4, O2
・加速電圧：100〜3000V
金属、半導体、絶縁膜の薄膜をエッチングします。
フォトリソグラフィー装置
素子のパターニングをします。
電子線描画装置
(大阪大学大学院基礎工学研究科附属未来研究推進センター所有)
素子のパターニングをします。
スクライバー
試料を切断するのに使用します。
微分干渉顕微鏡
試料の表面や作製した素子を観察するのに使用します。
ワイヤーボンダー
AuやAlワイヤーで素子を配線するのに使用します。
物理特性測定システム(PPMS)
・測定温度：1.9〜400 K
・最大印加磁場：9 T
作製した試料の磁気特性や磁気抵抗などを測定する装置です。
磁気抵抗効果測定装置1
・測定温度：3〜320 K
・最大印加磁場：0.6 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。
磁気抵抗効果測定装置2
・測定温度：室温
・最大印加磁場：0.6 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。
磁気抵抗効果測定装置3
・測定温度：3〜320 K
・最大印加磁場：〜1 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。
磁気抵抗効果測定装置4
・測定温度：3〜320 K
・最大印加磁場：0.6 T
作製したスピン注入・検出素子を測定する装置です。
高速熱処理(RTA)装置
試料を急速加熱する装置です。
UVオゾン洗浄装置
・プロセス温度：室温~300℃
紫外線と高濃度オゾンを用いて各種有機物の除去を行う装置です．
半導体デバイス・パラメータ・アナライザ
半導体素子のI-V特性などを測定する装置です。
電子顕微鏡(SEM)
微細な素子を観察する卓上サイズの装置です。
Kerr効果顕微鏡
磁区構造を観察する装置です。