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大阪大学大学院基礎工学研究科 附属スピントロニクス学術連携研究教育センター

  

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浜屋研究室では、これまで実現されたことがない高品質ヘテロ接合を実現することで、半導体スピントロニクスデバイス、マルチフェロイクデバイス、超伝導デバイスなど、次世代の低消費電力エレクトロニクスデバイスの開発を目指しています。

NEWS

  • 新メンバーとして、研究生の藤井君、新M1(3名)の 鹿嶽君、桶屋君、綿引君、新B4(8名)の 井上君、角谷君、久保君、萩原君、美濃出君、松井君、山口君、吉成君が加わりました。[2024.04.08]
  • スピンセンターの山田道洋特任准教授が、東京都市大学理工学部の准教授としてご栄転されました。ご活躍を祈念いたしております。[2024.04.01](写真リンク)
  • M2 川嶌君、楠本君、村上君が修士号を、B4 荒井君、上田君、喜入君、作村君、田中君、西岡君が学士号を取得しました。 皆さん、修士課程修了・学部卒業おめでとうございます。[2024.03.25](写真リンク)
  • 修論発表会・卒論発表会が行われ、M2の楠本君と村上君が修士論文優秀賞を、B4作村君が特別研究優秀発表賞を受賞することになりました。おめでとうございます。[2024.03.15]
  • 山田特任准教授らの液相エピタキシーSiGe薄膜の作製とスピントロニクス応用に関する論文が、Materials Science in Semiconductor Processing (IF = 4.1@2022)に掲載されました(リンク)。東洋アルミニウム株式会社、阪大産研の服部研究室、東京都市大学の澤野教授らとの共同研究です。[2024.02.22]
  • D2山田君、山田特任准教授らの研究で「全エピタキシャル強磁性ホイスラー合金/Ge/強磁性ホイスラー合金の作製」に関する論文が、Materials Science in Semiconductor Processing (IF = 4.1@2022)に掲載されました(リンク)。英国ヨーク大学Lazarov教授、東京都市大学澤野教授らとの共同研究です。[2024.01.25]
  • 宇佐見助教らの「界面マルチフェロイク構造における巨大磁気電気結合効果の発現メカニズム」に関する論文が、NPG Asia Materials (IF=9.7@2022)に掲載されました(リンク)。(巨大な磁気電気結合係数は、圧電歪みによって材料中の特定の元素の軌道磁気モーメントが変化することに由来していることが判明しました。) 東京大学の岡林准教授、東京工業大学の合田准教授らとの共同研究です(プレスリリース JST ResOU)。[2024.01.11]
  • 昨年度、博士後期課程修了の内藤貴大氏が、シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞を受賞することになりました(リンク)。受賞対象論文は、Physical Review Applied vol. 18, p. 024005 (2022) です。2024年春の応用物理学会で、受賞式と記念講演があります。おめでとうございます。[2024.01.11]
  • M2村上君、宇佐見助教らの研究で「準安定Co3Mn系の界面マルチフェロイク構造の実現」に関する論文が、Journal of Applied Physics (IF = 3.2@2022)に掲載されました(リンク)。東京工業大学の合田准教授、大阪大学工学研究科の白土准教授らとの共同研究です。[2023.12.09]
  • M2楠本君、山田特任准教授らの研究で「Sn添加手法による強磁性ホイスラー合金上へのGe薄膜成長とスピンデバイス応用」に関する論文が、Materials Science in Semiconductor Processing (IF = 4.1@2022)に掲載されました(リンク)。東京都市大学澤野教授らとの共同研究です。[2023.11.27]
  • 宇佐見喬政 助教が着任しました。[2023.10.02]
  • エピタキシャル強磁性体/半導体ヘテロ界面におけるDM相互作用に関する論文が、Physical Review B 誌 (IF=3.7@2022) に掲載されました(リンク)。本研究成果は、慶應義塾大学の安藤研究室との共同研究で、スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク拠点（Spin-RNJ）の取り組みにより得られたものです。[2023.10.02]
  • 高品質界面マルチフェロイク構造中の「高効率な磁化過程の電界制御」に関する論文が、Physical Review Applied 誌 (IF=4.6@2022) に掲載されました(リンク)。本成果は、九州大学の木村研究室、西安交通大学(中国)との共同研究です。[2023.09.17]
  • 強磁性金属内の「等方的スピンホール効果の観測」に関する論文が、Physical Review Letters (IF=8.6@2022)に掲載されました(リンク)。本研究成果は、慶應義塾大学の安藤研究室との共同研究で、スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク拠点（Spin-RNJ）の取り組みにより得られたものです。[2023.08.19]
  • 山田准教授と昨年度修士修了の加藤君らの「ハーフメタル材料からGaNへの室温スピン注入の実証」に関する論文が、Advanced Electronic Materials (IF=7.633@2021)に掲載されました(リンク)。(ウルツ鉱型結晶のGaN上に立方晶のCo系ホイスラー合金薄膜をエピタキシャル成長し、高効率スピン注入を実現することで室温スピン伝導を実証した成果です。) 阪大工学研究科の藤原研究室との共同研究です(プレスリリース)。[2023.05.09]
  • 新D1大木君、新 B4 荒井君、上田君、作村君、田中君、西岡君、喜入君が配属されました。[2023.04.03]
  • 山田助教が准教授に昇任しました。[2023.04.03]
  • 阪大浜屋研の10年目がスタートしました。[2023.04.03]
  • D3内藤君が博士号を、M2 浅尾君、加藤君、西村君、真田君、角君が修士号を、B4 青木君、岡田君、高木君、長田君、中村君が学士号を取得しました。 皆さん、博士・修士課程修了・学部卒業おめでとうございます。また、岡田君は基礎工学部賞を受賞しました。 [2023.03.23] (写真リンク)
  • 宇佐見特任研究員、M2真田君らの「垂直磁化界面マルチフェロイク系における磁気電気結合係数の増大」に関する研究が、Journal of Magnetism and Magnetic Materials (IF=3.097@2021)に掲載されました(リンク)。阪大工学研究科の中谷研究室との共同研究です。[2023.02.22]
  • 浜屋教授が先導的学際機構シンポジウムにパネリストとして参加しました(リンク)。[2023.02.03]
  • 令和4年4月1日に設立された先導的学際研究機構「スピン学際研究部門」のHPが完成しました(https://spin.otri.osaka-u.ac.jp)。[2022.10.02]
  • 山田特任助教が、附属スピントロニクス学術連携研究教育センターの特任准教授に昇任し、スピンRNJネットワークラボのPIとして山田グループを独立運営することになりました(ホームページへ)。[2022.10.01]
  • D1山田君(カデットプログラム履修生)が、日本学術振興会特別研究員DC2に内定しました。(浜屋研発足以来、学振採択者は15名になりました (SPD,PD含む))[2022.09.28]
  • D2内藤君の「歪みSiGeにおける室温スピン伝導」に関する論文が、Physical Review Applied (IF=4.931@2021)に掲載されました(リンク)。(半導体チャネル層に歪みを印加することでスピン伝導チャネルのバンド構造が変調され、室温スピン物性が大きく改善することを明らかにした論文です。) 東京都市大の澤野研究室との共同研究です。[2022.08.03]
  • 真砂特任准教授が海洋研究開発機構に異動されました。ご活躍を祈念いたしております。[2022.08.01]
  • 山田助教、博士修了生の工藤君、卒業生の貞苅君らの実験で「ホイスラー合金Mn2VAlエピタキシャル積層構造の実証」に関する論文が、Journal of Magnetism and Magnetic Materials (IF=2.993@2020)に掲載されました(リンク)。[2022.07.21]
  • 「Co系ホイスラー合金を用いた半導体スピントロニクス」の研究をまとめたレビュー論文が、MRS Bulletin (IF=4.882@2021)に掲載されました(リンク)。[2022.07.11]
  • 「スピンギャップレス系Mn2CoAl薄膜の作製手法と微細構造の違い」に関して詳細に議論した論文が、Acta Materialia (IF=8.203@2020)に掲載されました(リンク)。SPring-8・田尻主幹研究員、NIMS 磁性・スピントロニクス材料研究拠点の桜庭グループリーダーらとの共同研究です(プレスリリース)。[2022.06.16]
  • M2藤井君と宇佐見特任研究員らの「界面マルチフェロイク構造における巨大磁気電気結合効果」に関する論文が、NPG Asia Materials (IF=10.481@2020)に掲載されました(リンク)。(スピントロニクス材料を用いた界面マルチフェロイク構造において、電圧のみで磁化方向を不揮発に制御する可能性を示しながら10-5 s/mを超える磁気電気結合係数を実証した論文です。) 大阪大学工学研究科の白土准教授、英国ヨーク大学のLazarov教授、東京工業大学の合田准教授らとの共同研究です(プレスリリース　JST　ResOU)。[2022.05.20]
  • D2内藤君・M2西村君らの「半導体へのスピン注入に関するヘテロ界面の影響」に関する論文が、Physical Review B (IF=4.036@2020)に掲載されました(リンク)。(強磁性体/半導体ヘテロ界面のスピンモーメントが、半導体へのスピン注入/検出効率に顕著に影響することを明らかにした論文です。) 阪大基礎工CSRN 真砂特任准教授、阪大工白土准教授、東京都市大 澤野教授らとの共同研究です。[2022.05.13]
  • 新4年生の 青木君、岡田君、高木君、長田君、中村君が配属されました。 [2022.04.01]
  • 金島准教授が、近畿大学産業理工学部電気電子工学科の教授としてご栄転されました。ご活躍を祈念いたしております。 [2022.04.01]
  • M2 藤井君・山田君が修士号を、B4 今井君・川嶌君・楠本君・笹井君・貞苅君・谷口君・村上君が学士号を取得しました。皆さん、修士課程修了・学部卒業おめでとうございます。 [2022.03.24] (写真リンク)
  • 卒業論文発表会が行われ、B4の貞苅君が特別研究優秀発表賞(上位10位以内)を受賞することになりました。おめでとうございます。[2022.03.05]
  • 修士論文発表会が行われ、M2の藤井君と山田君が修士論文優秀賞を受賞することになりました。(上位6人の中に2名とも選ばれました。おめでとうございます。)[2022.02.19]
  • M2の山田敦也君が、第51回応用物理学会講演奨励賞を受賞することになりました(リンク)。 春季学術講演会では、受賞記念講演が行われる予定です。(おめでとうございます。)[2021.11.21]
  • M2の山田敦也君と山田特任助教らの「縦型半導体スピン素子における室温磁気抵抗効果」に関する論文が、Applied Physics Letters (IF=3.791@2020)に掲載されました(リンク)。(強磁性ホイスラー合金を利用した独自の縦型Geスピントロニクス素子において、室温における2端子磁気抵抗効果の世界最高値を達成した論文です。) 東京都市大の澤野研究室との共同研究です。[2021.11.08]
  • イギリス・ヨーク大学との共同研究で「IV族半導体上に作製した強磁性ホイスラー合金薄膜のダンピング定数とその詳細な構造解析」に関する論文が、Applied Physics Letters (IF=3.791@2020)に掲載されました(リンク)。薄膜の作製は全て山田助教が行いました。[2021.10.26]
  • 産総研(新原理コンピューティング研究センター)との共同研究で、Fe/MgO/Si横型スピン素子における2端子および4端子信号の特異な磁場依存性に関する論文が、Physical Review B (IF=4.036@2020)に掲載されました。[2021.10.26] (リンク)
  • 山田特任助教・昨年度修士修了の上野君らの「非縮退ゲルマニウムのスピン伝導」に関する論文が、Physical Review B (IF=4.036@2020)に掲載されました(リンク)。(これまでほとんど検出例のない非縮退ゲルマニウムのスピン伝導を正確に測定し、低温におけるスピン拡散長やスピン緩和のメカニズムについて詳細に明らかにした研究成果です。) 東京都市大の澤野研究室との共同研究です。[2021.09.01]
  • 山田特任助教らの「半導体スピン素子の電極構造における界面磁性の重要性」に関する論文が、Journal of Applied Physics (IF = 2.286@2019)に掲載されました(リンク)。(半導体スピントロニクス素子におけるスピン注入/検出電極構造に様々なFe原子層を挿入し、スピン注入/検出効率の温度依存性が界面磁性の強弱と関係していることを詳細に議論した論文です。) 阪大工学研究科の中谷研究室、東京都市大の澤野研究室との共同研究です。[2021.05.10]
  • 昨年度博士修了の工藤君と、山田特任助教らの「半導体スピン素子における室温磁気抵抗効果」に関する論文が、Applied Physics Letters (IF=3.597@2019)に掲載されました(リンク)。(Fe原子層を挿入した高品質なCo2MnSi/Geヘテロ接合をスピン注入/検出電極として用いることで、室温での2端子磁気抵抗比が世界最高値(0.1%)に到達した研究成果です。) 関西大学の本多准教授、東京都市大の澤野研究室との共同研究です。[2021.04.22]
  • 宇佐見特任研究員、M1藤井君らの「界面マルチフェロイク材料における巨大な磁気電気結合定数の実証」に関する論文が、Applied Physics Letters (IF=3.597@2019)に掲載されました(リンク)。(Co2FeSi薄膜をPMN-PT(001)上に高品質形成することに初めて成功し、エピタキシャル界面マルチフェロイク材料の高性能を示した研究成果です。) 阪大工学研究科の中谷研究室との共同研究です。[2021.04.07]
  • 新M1の真田君、角君、新4年生の今井君、川嶌君、楠本君、笹井君、貞苅君、谷口君、村上君が配属されました。[2021.04.01]
  • D3工藤君が博士号(工学)を、M2 上野君・寺本君・本田君・森君が修士号を、B4 浅尾君・加藤君・西村君・真田君が学士号を取得しました。皆さん、博士号取得・修了・卒業おめでとうございます。 [2021.03.24]（写真リンク)
  • D3工藤君と真砂特任准教授らの「スピンギャップレス系ホイスラー合金薄膜」に関する論文が、Physical Review B (IF=3.575@2019)に掲載されました(リンク)。(高品質に作製されたMn2CoAl薄膜において観測される正の線形磁気抵抗効果と薄膜の結晶構造やバンド構造との相関を詳細に議論した論文です。) NIMS 磁性・スピントロニクス材料研究拠点の桜庭グループリーダーらとSPring-8の田尻主幹研究員との共同研究です。[2021.03.18]
  • 修士論文発表会および卒業論文発表会が行われ、M2の寺本君が基電会賞、B4の西村君が特別研究優秀発表賞を受賞することになりました。[2021.02.26]
  • 山田助教、M2寺本君らの「ホイスラー合金/強誘電体 界面マルチフェロイク材料」に関する論文が、Physical Review Materials (IF=3.337@2019)に掲載されました (リンク)。(Co2FeSi薄膜をBaTiO3上に高品質形成することに初めて成功し、異方性磁気抵抗効果の電界制御を実現した研究成果です。) 名古屋大学の谷山研究室、英国ヨーク大学のLazarov研究室との共同研究です。[2021.01.22]
  • M1山田君、山田特任助教らの「p型ゲルマニウムの室温スピン拡散長」に関する論文が、Journal of Applied Physics (IF = 2.286@2019)に掲載されました(リンク)。(縦型スピン素子構造を用いて強磁性体上のp型ゲルマニウム層の膜厚を変化させ、室温でスピン伝導を観測することで、室温スピン拡散長を見積もった実験です。) [2021.01.06]
  • 山田晋也助教が『第３３回安藤博記念学術奨励賞』を受賞しました。(おめでとうございます。)[2020.10.19] (リンク) (写真リンク)
  • 秘書の武田さんが着任しました。[2020.10.01]
  • 研究生の内藤君(10月1日から博士後期課程)が学振DC1(訳あって2回目)に内定しました。[2020.09.25]
  • 「強磁性ホイスラー合金/半導体ヘテロ界面における電荷-スピン変換効率の増大」に関する論文が、Physical Review Applied (IF=4.194@2019)に掲載されました。(スピンポンピングと逆スピンホール効果を用いたスピン注入/検出手法で観測している信号は、電気的スピン注入/検出法で得られるスピン信号とは根本的に異なる起源により発現していることを明らかにした論文です。)東京大学の大矢研究室との共同研究です。[2020.09.01] (リンク)
  • 昨年度修士修了の嶋貫君(現ソニー)と山田助教・真砂特任准教授の「新しいホイスラー型熱電薄膜材料」に関する論文が、Physical Review B (IF=3.575@2019)に掲載されました。(Fe2VAl薄膜よりも高いゼーベック係数を示すFe2TiSi薄膜に対して、Mnを精密に置換することで、ゼーベック係数の符号反転などの物性制御を実証した論文です。) 阪大基礎工の中村研究室との共同研究です。 [2020.08.04] (リンク)
  • ホームページをリニューアルしました。[2020.8.3]
  • 山田特任助教らの「室温における高性能半導体スピン素子の実証」に関する論文が、NPG Asia Materials (IF=8.052@2018)に掲載され、Featured Articleに選ばれました。 (半導体スピントロニクス素子におけるスピン注入技術において、バンド対称性マッチング効果を初めて明らかにした論文です。)阪大産研の小口研究室、東京都市大の澤野研究室との共同研究です。 [2020.06.19] (リンク) (プレスリリース)
  • 内藤君と山田特任助教の「歪みSiGeにおけるスピン緩和の抑制」に関する論文が、Physical Review Applied (IF=4.532@2018)に掲載されました。(半導体スピン伝導素子における歪み印加の効果を世界で初めて明らかにした論文です。) 東京都市大の澤野研究室との共同研究です。[2020.05.16]（リンク）(プレスリリース)
  • D3工藤君らの「低温形成Co2MnSi薄膜のハーフメタル特性」に関する論文が、 Journal of Alloys and Compounds (IF = 4.175@2018) に掲載されることが決定しました。(ペロブスカイト酸化物上にCo2MnSiを初めて低温成長することに成功し、高性能を実証した論文です。)九州大学の木村研究室、英国ヨーク大学のLazarov研究室との共同研究です。[2020.05.09]
  • 宇佐見喬政 研究員が着任しました。また、新M1の藤井君、新4年生の浅尾君、加藤君、西村君が配属されました。[2020.04.02]
  • M2 椎原君、嶋貫君、内藤君が修士号を、B4本多君、松岡君、松實君、村田君、山田君が学士号を取得しました。皆さん、修了・卒業おめでとうございます。 [2020.03.26]（写真リンク)
  • 修士論文発表会および卒業論文発表会が行われ、M2の嶋貫君が基電会賞、椎原君と内藤君が修士論文優秀発表賞、B4の山田君と松實君が卒業論文優秀発表賞を受賞することになりました。M2は受賞者6名の中に3人全員が入る快挙です。[2020.03.06]
  • M2嶋貫君らの研究で「ホイスラー型熱電材料Fe2TiSi薄膜の実証」に関する論文が、Journal of Applied Physics (IF = 2.328)に掲載されました。(Fe2TiSiの単相薄膜の実験的証拠やFe2VAl薄膜よりも大きなゼーベック係数などの物性について議論した論文です。) 阪大基礎工 中村研究室との共同研究です。[2020.02.05] (リンク)
  • M2椎原君らの研究で「アンチモン添加ゲルマニウムにおける室温スピン伝導」に関する論文が、Applied Physics Express (IF = 2.772)に掲載されました。(n型ゲルマニウム中間層を有する縦型素子の初めての実証研究であるとともに、半導体中の室温スピン伝導における不純物種の影響を初めて議論した論文です。)[2020.02.04] (リンク)
  • 「スピントロニクス学術連携基盤と連携ネットワーク拠点」の2019年度年次報告会を、阪大基礎工シグマホールで行いました。[2019.12.12] (写真リンク)
  • 産総研(ナノスピントロニクス研究センター)との共同研究で、Fe/MgO/Si接合における近接効果の検出に関する論文が、Physical Review B (IF=3.736@2018)に掲載されました。[2019.12.01] (リンク)
  • 修士修了生の小林君と山田助教の実験で、ホイスラー合金薄膜における正の線形磁気抵抗効果の起源に関する論文が、Physical Review B (IF=3.736@2018)に掲載されました。(NIMS 磁性・スピントロニクス材料研究拠点、SPring-8、阪大産研 小口研究室との共同研究です。) [2019.11.26] (リンク)
  • D2工藤君の「Co系ホイスラー合金薄膜の低温結晶成長」に関する研究が、ACS Applied Electronic Materials に掲載されました。(東京工業大学 合田准教授との共同研究です。)[2019.11.26](リンク)
  • M2内藤君が第80回応用物理学会秋季学術講演会で発表しました「Spin transport in a strained SiGe alloy」が、スピントロニクス研究会 第12回英語講演奨励賞に選ばれました。(おめでとうございます。)[2019.10.21]
  • 山田助教が、マツダ研究助成奨励賞を受賞しました。(おめでとうございます。)[2019.10.15](リンク)
  • 山田道洋 特任助教が着任しました。 [2019.10.01]
  • D2工藤君とM2内藤君が、日本学術振興会特別研究員のDC2とDC1にそれぞれ内定しました。(浜屋研発足以来、学振採択者は14名になりました (SPD,PD含む)) [2019.09.30]
  • 博士課程修了生の藤田君(現:NIMS)らの「半導体スピン素子におけるスピン蓄積信号の非線形バイアス依存性」に関する論文が、Physical Review B (IF=3.736@2018)に掲載されました。(東京都市大の澤野研究室との共同研究です。) [2019.07.29](リンク)
  • 東京都市大学(澤野研究室)との共同研究で、歪みSiGe(111)チャネル層の形成に関する研究がApplied Physics Express(IF=2.772@2018)に掲載されました。[2019.07.25](リンク)
  • 産総研(ナノスピントロニクス研究センター)との共同研究で、半導体スピンデバイスにおける2端子素子中のHanle効果信号に関する成果が、 Applied Physics Letters (IF=3.495@2017)に掲載されました。[2018.06.18](リンク)
  • 産総研(ナノスピントロニクス研究センター)との共同研究で、半導体スピンデバイスにおけるスピンドリフト効果に関する成果が、 Physical Review Applied (IF=4.782@2017)に掲載されました。[2019.04.08](リンク)
  • 新メンバー(M1寺本君、B4 本多君、松岡君、松實君、村田君、山田君)が配属されました。[2019.04.01]